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纳米阵列(碳纳米管阵列石墨烯转移)

admin 12-04 10:06 241次浏览

成果介绍

下一代无线通信技术的发展需要能够在大于90千兆赫的频率下工作的集成射频设备。碳纳米管场效应晶体管在这类应用中很有前景,但目前包括工作频率在内的关键性能指标都低于理论预测。本文中,北京大学电子系和碳基集成电路研究院的单方盒-彭练矛团队在《Nature Electronics》期刊上发表了一篇题为《基于对准碳纳米管阵列的射频晶体管》的论文,研究报道了基于高纯度碳纳米管阵列的射频晶体管,采用双分散分选和二元液体界面对准工艺制造。

纳米管阵列的密度约为每微米120个纳米管,最大载流子迁移率为1580 cm2V-1s-1,饱和速度高达3.0107 cm2s-1。由此产生的场效应晶体管提供了高DC性能(在-0.9 V偏置下,导通电流为1.92毫安米-1,峰值跨导为1.40毫秒米-1),并且可以在毫米波和太赫兹频率下工作。栅极长度为50纳米的晶体管的电流增益和功率增益截止频率分别高达540千兆赫和306千兆赫,射频放大器可以在K波段(18千兆赫)显示高功率增益(23.2分贝)和固有线性度(31.2 dBm输出功率)。

链接:https://www.nature.com/articles/s41928-021-00594-w

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